FDMC6679AZ MOSFET -30V Pチャネルパワートレンチ
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | オンセミ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | パワー33-8 |
| トランジスタの極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 20A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 10ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -25V、+25V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 1.8V |
| Qg - ゲート電荷: | 37nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 41ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | パワートレンチ |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ / フェアチャイルド |
| 構成： | シングル |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 46 S |
| 身長： | 0.8ミリメートル |
| 長さ： | 3.3ミリメートル |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| シリーズ： | FDMC6679AZ |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Pチャネル |
| 幅： | 3.3ミリメートル |
| 単位重量: | 0.005832オンス |
♠ FDMC6679AZ PチャネルPowerTrench® MOSFET -30 V、-20 A、10 mΩ
FDMC6679AZは、負荷スイッチアプリケーションにおける損失を最小限に抑えるように設計されています。シリコン技術とパッケージ技術の進歩を組み合わせることで、rDS(on)とESD保護を極めて低く抑えています。
• 最大rDS(on) = 10 mΩ、VGS = -10 V、ID = -11.5 A
• 最大rDS(on) = 18 mΩ、VGS = -4.5 V、ID = -8.5 A
• HBM ESD保護レベル8 kV（標準）（注3）
• バッテリーアプリケーション向けの拡張VGSS範囲（-25 V）
• 極めて低いrDS(on)を実現する高性能トレンチ技術
• 高出力および高電流処理能力
• 端子は鉛フリー、RoHS準拠
• ノートパソコンとサーバーの負荷スイッチ
• ノートパソコンのバッテリーパック電源管理
