| Atributo del producto | Valor de atributo |
| ファブリカンテ: | オンセミ |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | デターレス |
| 技術: | Si |
| エスティロ・デ・モンタヘ: | SMD/SMT |
| パケーテ/キュビエルタ: | DPAK-3 |
| ポラリダッド デル トランジスタ: | Nチャンネル |
| 運河の数: | 1チャンネル |
| Vds - Tensión interruptiva entre drenaje y fuente: | 100V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 42A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 31ミリオーム |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | -20V、+20V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1V |
| Qg - カルガ・デ・プエルタ: | 26nC |
| 最低気温: | - 55℃ |
| 最高気温: | + 150℃ |
| Dp - Disipacion de potencia : | 54W |
| モド運河: | 強化 |
| コマーシャル名: | パワートレンチ |
| エンパケタード: | リール |
| エンパケタード: | カットテープ |
| エンパケタード: | マウスリール |
| マルカ: | onsemi / フェアチャイルド |
| 構成: | 独身 |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 31 S |
| アルチュラ: | 2.39mm |
| 経度: | 6.73mm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| シリーズ: | FDD86102LZ |
| Cantidad de empaque de fabrica: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタのタイプ: | 1 N チャネル |
| アンチョ: | 6.22mm |
| ペソ・デ・ラ・ユニダード: | 0.011640オンス |
