FDD4N60NZ MOSFET 2.5A出力電流ゲートドライブオプトカプラ
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | オンセミ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | DPAK-3 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 600V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 1.7A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 1.9オーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -25V、+25V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 5V |
| Qg - ゲート電荷: | 8.3 nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 114ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | ユニFET |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ / フェアチャイルド |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 12.8ナノ秒 |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 3.4秒 |
| 身長： | 2.39ミリメートル |
| 長さ： | 6.73ミリメートル |
| 製品： | MOSFET |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 15.1ナノ秒 |
| シリーズ： | FDD4N60NZ |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Nチャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 30.2ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 12.7ナノ秒 |
| 幅： | 6.22ミリメートル |
| 単位重量: | 0.011640オンス |
