FDD4N60NZ MOSFET 2.5A 出力電流 GateDrive オプトカプラ
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | オンセミ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | DPAK-3 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 600V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 1.7A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 1.9オーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -25V、+25V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 5V |
| Qg - ゲートチャージ: | 8.3nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 114W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | ユニFET |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | onsemi / フェアチャイルド |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 12.8ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 3.4秒 |
| 身長： | 2.39mm |
| 長さ： | 6.73mm |
| 製品： | MOSFET |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 15.1ns |
| シリーズ： | FDD4N60NZ |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 30.2ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 12.7ns |
| 幅： | 6.22mm |
| 単位重量: | 0.011640オンス |
