DP83869HMRGZR イーサネット IC 銅線および光ファイバーインターフェースを備えた拡張温度範囲の高耐性ギガビット イーサネット PHY トランシーバー
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | テキサス・インスツルメンツ |
| 製品カテゴリー: | イーサネットIC |
| RoHS指令: | 詳細 |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | VQFN-48 |
| 製品： | イーサネットトランシーバー |
| 標準： | 10BASE-TE、100BASE-TX、1GBASE-T |
| トランシーバーの数: | トランシーバー1台 |
| インターフェースタイプ: | MII、RGMII、SGMII |
| 動作電源電圧: | 1.8V、2.5V、3.3V |
| 最低動作温度: | - 40℃ |
| 最大動作温度: | + 125℃ |
| シリーズ： | DP83869HM |
| パッケージ: | リール |
| ブランド： | テキサス・インスツルメンツ |
| 湿気に敏感: | はい |
| 製品タイプ: | イーサネットIC |
| 工場パック数量: | 2000 |
| サブカテゴリ: | 通信およびネットワーク用IC |
| 供給電圧 - 最大: | 3.45V |
| 供給電圧 - 最小: | 1.71V |
♠ DP83869HM 高耐性 10/100/1000 イーサネット物理層トランシーバ（銅線および光ファイバーインターフェース付き）
DP83869HMデバイスは、堅牢でフル機能を備えたギガビット物理層（PHY）トランシーバー10BASE-Teをサポートする統合PMDサブレイヤー、100BASE-TX および 1000BASE-T イーサネット プロトコル。DP83869は1000BASE-Xもサポートしており、100BASE-FXファイバープロトコル。ESDに最適化DP83869HMは8kV IECを超える保護を備えています61000-4-2（直接接触）。このデバイスはMAC層は縮小GMII（RGMII）を介して、SGMII。100Mモードでは、設計者はMIIを使用して低レイテンシを実現。プログラム可能な統合RGMII/MIIの終端インピーダンスは、システムBOM。
DP83869HMは、以下のメディア変換をサポートします。アンマネージドモード。このモードでは、DP83869HMは1000BASE-X から 1000BASE-T への変換と 100BASE-FX から 100BASE-TX への変換を実行します。
DP83869HMはブリッジ変換もサポートしますRGMII から SGMII へ、SGMII から RGMII へ。そのDP83869HMはTSN規格に準拠しており、低遅延を実現します。
• 複数の動作モード
– メディアサポート: 銅線および光ファイバー
– 銅線と光ファイバー間のメディア変換
– RGMIIとSGMII間の橋渡し
• 最大周囲温度125°C
• 8kV IEC61000-4-2 ESDを超える
• 低消費電力
– 1000Base-Xの場合、< 150 mW
– 1000Base-Tの場合、500mW未満
• 低いRGMIIレイテンシ
– 1000Base-Tの場合、合計遅延は384ns以下
– 100Base-TXの場合、合計遅延は361ns以下
• タイムセンシティブネットワーク（TSN）準拠
• SyncE用の回復クロック出力
• 選択可能な同期クロック出力: 25 MHzおよび125MHz
• SFF-8431 V4.1、1000BASE-Xおよび100BASE-FX互換性がある
• SFD経由のIEEE1588サポート
• Wake on LAN サポート
• 設定可能なIO電圧：1.8 V、2.5 V、3.3 V
• SGMII、RGMII、MII MACインターフェース
• 1000Mおよび100Mの速度に対応するジャンボフレームのサポート
• ケーブル診断
– TDR
– BIST
• プログラム可能なRGMII終端インピーダンス
• 統合型MDI終端抵抗
• 高速リンクドロップモード
• IEEE 802.3 1000Base-T、100BaseTX、10Base-Te、1000Base-X、100Base-FXに準拠
• 産業用工場オートメーション
• グリッドインフラストラクチャ
• モーターおよびモーション制御
• テストおよび測定
• ビルオートメーション
• リアルタイム産業用イーサネットアプリケーションプロフィネット®
