DMN2400UV-7 MOSFET MOSFET、Nチャネル
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | ダイオード株式会社 |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | SOT-563-6 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 2チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 20V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 1.33 A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 480ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | - 12V、+ 12V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 500 mV |
| Qg - ゲート電荷: | 500 pC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 530ミリワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | ダイオード株式会社 |
| 構成： | デュアル |
| 落下時間: | 10.54ナノ秒 |
| 製品： | MOSFET小信号 |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 7.28ナノ秒 |
| シリーズ： | DMN2400 |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 2 Nチャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 13.74ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 4.06ナノ秒 |
| 単位重量: | 0.000212オンス |
· 相補型P + Nチャネル
· 強化モード
· スーパーロジックレベル（定格2.5V）
· 共通排水溝
· 雪崩耐性
· 175℃の動作温度
· AEC Q101に準拠
· 100%鉛フリー、RoHS準拠
· IEC61246-21準拠のハロゲンフリー
