CSD18563Q5A MOSFET 60V N チャネル NexFET パワー MOSFET
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | テキサス・インスツルメンツ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | VSONP-8 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 100A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 6.8ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1.7V |
| Qg - ゲートチャージ: | 15nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 116W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | NexFET |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | テキサス・インスツルメンツ |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 1.7ns |
| 身長： | 1mm |
| 長さ： | 5.75mm |
| 製品： | パワーMOSFET |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 6.3ns |
| シリーズ： | CSD18563Q5A |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル パワー MOSFET |
| タイプ： | 60 V N チャネル NexFET パワー MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 11.4ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 3.2ns |
| 幅： | 4.9mm |
| 単位重量: | 0.003034オンス |
♠ CSD18563Q5A 60 V N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
この 5.7 mΩ、60 V SON 5 mm × 6 mm NexFET™ パワー MOSFET は、CSD18537NQ5A 制御 FET と組み合わせて、完全な産業用バック コンバータ チップセット ソリューションの同期 FET として機能するように設計されています。
• 超低QgおよびQgd
• リンギングを低減するソフトボディダイオード
• 低熱抵抗
• 雪崩定格
• 論理レベル
• 鉛フリー端子メッキ
• RoHS対応
•ハロゲンフリー
•SON 5mm×6mmプラスチックパッケージ
• 産業用降圧コンバータ用のローサイド FET
• 二次側同期整流器
• モーター制御
