CSD18563Q5A MOSFET 60V Nチャネル NexFET パワーMOSFET
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | テキサス・インスツルメンツ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | VSONP-8 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 100 A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 6.8ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 1.7V |
| Qg - ゲート電荷: | 15nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 116ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | ネクストFET |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | テキサス・インスツルメンツ |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 1.7ナノ秒 |
| 身長： | 1ミリメートル |
| 長さ： | 5.75ミリメートル |
| 製品： | パワーMOSFET |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 6.3ナノ秒 |
| シリーズ： | CSD18563Q5A |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1個のNチャネルパワーMOSFET |
| タイプ： | 60 V NチャネルNexFETパワーMOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 11.4ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 3.2ナノ秒 |
| 幅： | 4.9ミリメートル |
| 単位重量: | 0.003034オンス |
♠ CSD18563Q5A 60 V Nチャネル NexFET™ パワーMOSFET
この 5.7 mΩ、60 V SON 5 mm × 6 mm NexFET™ パワー MOSFET は、CSD18537NQ5A 制御 FET と組み合わせて、完全な産業用降圧コンバータ チップセット ソリューションの同期 FET として機能するように設計されています。
• 超低QgおよびQgd
• リンギングを低減するソフトボディダイオード
• 低熱抵抗
• 雪崩耐性
• ロジックレベル
• 鉛フリー端子メッキ
• RoHS準拠
• ハロゲンフリー
• SON 5 mm × 6 mm プラスチックパッケージ
• 産業用降圧コンバータ用ローサイドFET
• 二次側同期整流器
• モーター制御
