BSS123LT1G MOSFET 100V 170mA Nチャンネル

簡単な説明:

メーカー: オン・セミコンダクター

製品カテゴリ: トランジスタ – FET、MOSFET – シングル

データシート:BSS123LT1G

説明: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

RoHS ステータス: RoHS 準拠


製品の詳細

特徴

製品タグ

♠商品説明

商品属性 属性値
メーカー: オンセミ
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: 詳細
テクノロジー: Si
取り付けスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-23-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: 100V
Id - 連続ドレイン電流: 170ミリアンペア
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: 6オーム
Vgs - ゲート-ソース間電圧: -20V、+20V
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: 1.6V
Qg - ゲートチャージ: -
最低動作温度: - 55℃
最高動作温度: + 150℃
Pd - 消費電力: 225mW
チャネル モード: 強化
包装: リール
包装: カットテープ
包装: マウスリール
ブランド: オンセミ
構成: 独身
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 80ミリ秒
身長: 0.94mm
長さ: 2.9mm
製品: MOSFET小信号
製品の種類: MOSFET
シリーズ: BSS123L
工場パック数量: 3000
サブカテゴリ: MOSFET
トランジスタの種類: 1 N チャネル
タイプ: MOSFET
標準的なターンオフ遅延時間: 40ns
標準的なターンオン遅延時間: 20ns
幅: 1.3mm
単位重量: 0.000282オンス

 


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  • • 独自のサイトとコントロールの変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション向けの BVSS プレフィックス。AEC-Q101 認定および PPAP 対応

    • これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS に準拠しています。

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